元素状酸素リザーバ層を備え、5 nm未満の空間に閉じ込められた高速・省エネルギー型メモリスタ

次世代電子機器のための、より賢く速いメモリ

現代のコンピュータは、メモリとプロセッサの間でデータを行き来させるだけで多くのエネルギーを消費します。エンジニアたちは、脳に近い動作で情報を蓄えつつ処理も行い、消費電力を極力抑える小型デバイスを求めています。本稿は、極めて高速に切り替わり極めて低エネルギーで動作する新しいタイプの超薄型電子メモリ素子、メモリスタについて報告します。これは脳型コンピューティングの構成要素になりうるものです。

引用: Li, C., Niu, W., Wan, D. et al. High-speed energy-efficient memristor confined in sub-5 nm space with elemental oxygen reservoir layer. Nat Commun 17, 4117 (2026). https://doi.org/10.1038/s41467-026-70806-4

キーワード: メモリスタ, ニューロモルフィックコンピューティング, 酸化ハフニウム, 二次元材料, 低消費電力エレクトロニクス