通过分子电离能调制GaN表面态的偶极子效应

为何调控晶体“表皮”至关重要

由氮化镓（GaN）制成的电子器件驱动着当今最快的充电器、5G基站和电动汽车。然而，GaN的最外层——暴露于空气的几个原子层——常常表现得不可预测，导致不必要的能量损失和器件随时间漂移。本文表明，来自日常环境的简单气体分子，如水、 一氧化碳和二氧化氮，可以系统性地调节该表面的电学行为。通过揭示将分子的电离能与其如何改变GaN表面联系起来的明确规律，该工作为设计更稳定、更高效的器件乃至新一代光驱动电子发射源指明了方向。

引用: Chaulker, O.H., Turkulets, Y., Shapira, Y. et al. Dipolar modulation of surface states in GaN via molecular ionization energy. Sci Rep 16, 5224 (2026). https://doi.org/10.1038/s41598-026-35475-9

关键词: 氮化镓表面, 分子吸附, 表面态, 负电子亲和能, 界面偶极子